壓力傳感器的發(fā)展歷程：
傳感器技術(shù)是現(xiàn)代測量和自動(dòng)化系統(tǒng)的重要技術(shù)*,從宇宙開發(fā)到海底探秘,從的過程控制到現(xiàn)代文明生活,幾乎每*項(xiàng)技術(shù)都離不開傳感器,因此,許多對(duì)傳感器技術(shù)的發(fā)展十分重視,如日本把傳感器技術(shù)列為六大核心技術(shù)(計(jì)算機(jī)、通信、激光、半導(dǎo)體、超導(dǎo)體和傳感器) **、在各類傳感器中壓力傳感器具有體積小、重量輕、靈敏度*、穩(wěn)定可靠、成本低、便于集成化的優(yōu)點(diǎn),可廣泛用于壓力、*度、加速度、液體的流量、流速、液位、壓強(qiáng)的測量與控制。除此以外,還廣泛應(yīng)用于水利、地質(zhì)、氣象、化工、醫(yī)療衛(wèi)生等方面。由于該技術(shù)是平面工藝與立體加工相結(jié)合,又便于集成化,*以可用來制成血壓計(jì)、風(fēng)速計(jì)、水速計(jì)、壓力表、電子稱以及自動(dòng)報(bào)警裝置等。壓力傳感器已成為各類傳感器中技術(shù)zui成熟、性能zui穩(wěn)定、性價(jià)比zui*的*類傳感器。因此對(duì)于從事現(xiàn)代測量與自動(dòng)控制*的技術(shù)人員必須了解和熟識(shí)*外壓力傳感器的研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。
壓力傳感器的發(fā)展歷程：現(xiàn)代壓力傳感器以半導(dǎo)體傳感器的發(fā)明為標(biāo)志,而半導(dǎo)體傳感器的發(fā)展可以分為四個(gè)階段:
(1) 發(fā)明階段(1945 - 1960 年) :這個(gè)階段主要是以1947 年雙*性晶體管的發(fā)明為標(biāo)志。此后,半導(dǎo)體材料的這*特性得到較廣泛應(yīng)用。史密斯(C.S. Smith) 與1945 發(fā)現(xiàn)了硅與鍺的壓阻效應(yīng) ,即當(dāng)有外力作用于半導(dǎo)體材料時(shí),其電阻將明顯發(fā)生變化。依據(jù)此原理制成的壓力傳感器是把應(yīng)變電阻片粘在金屬薄膜上,即將力信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)進(jìn)行測量。此階段zui小尺寸大約為1cm。
(2) 技術(shù)發(fā)展階段(1960 - 1970 年) :隨著硅擴(kuò)散技術(shù)的發(fā)展,技術(shù)人員在硅的(001) 或(110) 晶面選擇合適的晶向直接把應(yīng)變電阻擴(kuò)散在晶面上,然后在背面加工成凹形,形成較薄的硅彈性膜片,稱為硅杯 。這種形式的硅杯傳感器具有體積小、重量輕、靈敏度*、穩(wěn)定性好、成本低、便于集成化的優(yōu)點(diǎn),實(shí)現(xiàn)了金屬- 硅共晶體,為商業(yè)化發(fā)展提供了可能。
(3) 商業(yè)化集成加工階段(1970 - 1980 年) :在硅杯擴(kuò)散理論的基礎(chǔ)上應(yīng)用了硅的各向異性的腐蝕技術(shù),擴(kuò)散硅傳感器其加工工藝以硅的各項(xiàng)異性腐蝕技術(shù)為主,發(fā)展成為可以自動(dòng)控制硅膜厚度的硅各向異性加工技術(shù) ,主要有V 形槽法、濃硼自動(dòng)中止法、陽*氧化法自動(dòng)中止法和微機(jī)控制自動(dòng)中止法。由于可以在多個(gè)表面同時(shí)進(jìn)行腐蝕,數(shù)千個(gè)硅壓力膜可以同時(shí),實(shí)現(xiàn)了集成化的工廠加工模式,成本進(jìn)*步降低。
(4) 微機(jī)械加工階段(1980 年- 今) :上世紀(jì)末出現(xiàn)的納米技術(shù),使得微機(jī)械加工工藝成為可能。
通過微機(jī)械加工工藝可以由計(jì)算機(jī)控制加工出結(jié)構(gòu)型的壓力傳感器,其線度可以控制在微米級(jí)范圍內(nèi)。利用這*技術(shù)可以加工、蝕刻微米級(jí)的溝、條、膜,使得壓力傳感器進(jìn)入了微米階段。
